Gwoup rechèch chèchè Yang Liang a nan Enstiti Suzhou pou etid avanse nan Inivèsite Syans ak Teknoloji nan Lachin devlope yon nouvo metòd pou metal oksid semi-conducteur Ak sikui tankou diodes, triodes, memristors ak sikwi chifreman, konsa pwolonje senaryo yo aplikasyon nan lazè mikwo-nano pwosesis nan jaden an nan mikwo-elektwonik, nan elektwonik fleksib, detèktè avanse, MEMs entelijan ak lòt jaden gen kandida aplikasyon enpòtan. Rezilta rechèch yo te dènyèman te pibliye nan "Nature Communications" anba tit la "lazè enprime mikroelectronics".
Enprime elektwonik se yon teknoloji émergentes ki itilize metòd enprime pou fabrike pwodwi elektwonik. Li satisfè karakteristik sa yo nan fleksibilite ak pèsonalizasyon nan nouvo jenerasyon an nan pwodwi elektwonik, epi yo pral pote yon nouvo revolisyon teknolojik nan endistri a mikroelectronics. Plis pase 20 ane ki sot pase yo, enprime ankr, transfè lazè-pwovoke (leve), oswa lòt teknik enprime te fè gwo pwogrè yo ki ap pèmèt fabwikasyon nan fonksyonèl òganik ak inòganik aparèy mikwo-elektwonik san yo pa bezwen an pou yon anviwònman cleanroom. Sepandan, gwosè a karakteristik tipik nan metòd yo enprime pi wo a se nòmalman sou lòd la nan dè dizèn de mikron, e souvan mande pou yon gwo tanperati pòs-pwosesis pwosesis, oswa depann sou yon konbinezon de pwosesis miltip reyalize pwosesis la nan aparèy fonksyonèl. Teknoloji lazè mikwo-nano pwosesis itilize entèraksyon an linear ant pulsasyon lazè ak materyèl, epi yo ka reyalize estrikti konplèks fonksyonèl ak manifakti aditif nan aparèy ki difisil a reyalize pa metòd tradisyonèl ak yon presizyon nan <100 nm. Sepandan, pi fò nan aktyèl lazè mikwo-nano-fabrike estrikti yo se sèl materyèl polymère oswa materyèl metal. Mank nan metòd lazè dirèk ekri pou materyèl semi-conducteurs tou fè li difisil yo elaji aplikasyon an nan lazè mikwo-nano teknoloji pwosesis nan jaden an nan aparèy mikwo-elektwonik.
In this thesis, researcher Yang Liang, in cooperation with researchers in Germany and Australia, innovatively developed laser printing as a printing technology for functional electronic devices, realizing semiconductor (ZnO) and conductor ( Composite laser printing of various materials such as Pt and Ag) (Figure 1), and does not require any high-temperature post-processing process steps at all, and the minimum feature size is <1 µm. Sa a zouti fè li posib yo Customize konsepsyon an ak enprime nan kondiktè, semi -kondiktè, e menm Layout la nan materyèl posibilite dapre fonksyon yo nan aparèy mikwo -elektwonik, ki anpil amelyore presizyon, fleksibilite a, ak contrôleur nan enprime aparèy mikwo -elektwonik. Sou baz sa a, ekip rechèch la avèk siksè reyalize entegre lazè dirèk ekri nan diodes, memristors ak fizikman ki pa repwodwi sikwi chifreman (Figi 2). Teknoloji sa a se konpatib ak enprime ankr tradisyonèl ak lòt teknoloji, e yo espere yo dwe pwolonje nan enprime nan divès kalite P-kalite ak N-kalite semi-conducteurs materyèl oksid metal, bay yon metòd sistematik nouvo pou pwosesis la nan konplèks, gwo-echèl, ki genyen twa dimansyon fonksyonèl aparèy mikwo-elektwonik.
Tèz: https: //www.nature.com/articles/s41467-023-36722-7
Post tan: MAR-09-2023